RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2563
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link