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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
41
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
17
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3702
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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