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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
30
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
17
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
17.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3731
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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