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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
41
Por volta de -17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2211
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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