RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
6.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
4.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
6.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
4.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
625
2738
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link