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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2018
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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