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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3729
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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