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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3147
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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