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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
16.8
写入速度,GB/s
2,066.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3147
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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