Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 11.7

Среднее значение в тестах

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 49

Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 16.8
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3147

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

модули RAM