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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
78
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
78
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
6.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1594
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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