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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
AMD R7416G2133U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
78
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2133U2S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
78
读取速度,GB/s
12.3
13.5
写入速度,GB/s
8.9
6.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1594
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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