RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3784
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link