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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
43
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3252
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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