RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
43
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
8.9
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3252
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link