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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
43
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
8.9
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3252
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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