RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2942
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link