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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2942
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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