RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link