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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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