RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
22.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
16.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3873
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link