RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3987
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link