RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2765
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link