RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
40
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2765
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link