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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
40
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3191
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
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