RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2679
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link