RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation M424016 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
40
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link