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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation M424016 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
40
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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