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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
40
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3351
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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