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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3023
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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