Comparação RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Pontuação geral

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 35

Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.6 10.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.1 6.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 8500

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1479 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns