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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3628
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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