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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3222
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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