RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3134
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link