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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2863
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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