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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
47
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2640
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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