RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2750
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link