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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2823
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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