RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3765
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link