RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3372
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link