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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3552
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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