RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2917
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link