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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
86
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
86
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
5.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1220
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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