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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2496
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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