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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
69
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1542
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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