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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
27700
8500
Por volta de 3.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
27700
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3542
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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