RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
36
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2417
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link