RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2248
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link