RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2312
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link