RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2312
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link