RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3621
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link