RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2327
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link