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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2484
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
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